主要用于半导体图形化工艺，是半导体制造过程中的重要步骤。光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆，完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。
在目前比较主流的半导体制造工艺中，一般需要40 步以上独立的光刻步骤，贯穿了半导体制造的整个流程，光刻工艺的---程度决定了半导体制造工艺的---程度。光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的设备。目前，asml 的nxe3400b售价在一亿欧元以上，---一架f35 ---。
按---波长，正负光刻胶多少钱，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（euv，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、x射线光刻胶等。按照应用领域的不同，光刻胶又可以分为印刷电路板（pcb）用光刻胶、液晶显示（lcd）用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。pcb光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术---水平。
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光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。 光刻胶又称光致抗蚀剂，以智能管感光材料，在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚酯胶和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的kpr为代表，后者以omr系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以---醌为感光化合物，除泡光刻胶多少钱，以酚醛树脂为基体材料。常用的有az- 1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、而刻蚀性和附着性等较差。
光刻胶的特点
1、在光的照射下溶解速率发生变化，紫外光刻胶多少钱，利用---区与非---区的溶解速率差来实现图形的转移;
2、溶解抑制/溶解促进共同作用;
3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同;
根据化学反应机理和显影原理的不同，光刻胶可以分为负性胶和正性胶。对某些溶剂可溶，但经---后形成不可溶物质的是负性胶;反之，对某些溶剂不可溶，经---后变成可溶的为正性胶。
从需求端来看，光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和pcb光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。
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