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根据化学反应机理和显影原理的不同，光刻胶可以分为负性胶和正性胶。对某些溶剂可溶，但经---后形成不可溶物质的是负性胶;反之，对某些溶剂不可溶，经---后变成可溶的为正性胶。 从需求端来看，光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和pcb光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。
光刻胶产品种类多、性强，是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶---光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同，导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊，要求使用不同品质等级的光刻胶化学品。
(1)合成醛树脂。将原料混和甲醛送人不锈钢釜，加入适量草酸为催化剂，加热回流反应5～6h，然后减压蒸馏去除水及未反应的单体酚，得到醛树脂。(2)合成感光剂。在装有搅拌器的夹套反应罐中，先将三---二---甲酮和215酰氯加至中搅拌下溶解，待完全溶解后，滴加有机碱溶液做催化剂，控制反应温度30~35℃，滴加完毕后，继续反应1h。将反应液冲至水中，感光剂析出，负性光刻胶厂家，离心分离，干燥。(3)配胶。将合成的树脂、感光剂与溶剂及添加剂按一定比例混合配胶，然后调整胶的各项指标使之达到要求。后过滤分装，光刻胶首先经过板框式过滤器粗滤，然后转入超净间(100级)进行超净过滤，滤膜孔径0.2mm，负性光刻胶，经超净过滤的胶液分装即为成品。
光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种具有光化学敏感性的功能性化学材料，由光引发剂、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，其中，树脂约占50%，单体约占35%。
它被称为是电子化工材料中技术壁垒较高的材料之一，主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，同时在 led、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用。
按照下游应用，光刻胶可分为半导体用光刻胶、lcd用光刻胶、pcb（印刷线路板）用光刻胶等，其技术壁垒依次降低。
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