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光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一,是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下,其溶解度发生变化,经适当溶剂处理,溶去可溶性部分,然后得到所需图像。 光刻胶作为技术门槛---的电子化学品一直被国际企业垄断。 随着大力研发和投入, 国内企业已逐步从低端 pcb 光刻胶发展至中端半导体光刻胶的量产。
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的技术参数。随着集成电路的发展,芯片制造特征尺寸越来越小,对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的技术参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要,光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此,研发了含si的光刻胶,这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料(常被称作underlayer),其对光是不敏感的。---显---,nr9 3000p光刻胶,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到underlayer上,nr9 3000p光刻胶多少钱,在氧等离子体刻蚀条件下,含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer,具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的,nr9 3000p光刻胶,例如硅氧烷,含si的树脂等
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