主要用于半导体图形化工艺，是半导体制造过程中的重要步骤。光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆，负性光刻胶多少钱，完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。
在目前比较主流的半导体制造工艺中，一般需要40 步以上独立的光刻步骤，贯穿了半导体制造的整个流程，光刻工艺的---程度决定了半导体制造工艺的---程度。光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的设备。目前，asml 的nxe3400b售价在一亿欧元以上，---一架f35 ---。
按---波长，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（euv，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、x射线光刻胶等。按照应用领域的不同，光刻胶又可以分为印刷电路板（pcb）用光刻胶、液晶显示（lcd）用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。pcb光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术---水平。
光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被在圆片的表面。而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是的，负性光刻胶价格，但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑，需要对光刻胶进行合理的选择。
划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在---之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，未---的区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在显影剂中未---的区域将溶解，而---的区域被保留。正性胶的分辨力往往是的，因此在ic制造中的应用更为普及，但mems系统中，由于加工要求相对较低，光刻胶需求量大，负性胶仍有应用市场。
光刻胶必须满足几个硬性指标要求：高灵敏度，高对比度，好的蚀刻阻抗性，高分辨力，负性光刻胶哪里有，易于处理，高纯度，长寿命周期，低溶解度，低成本和比较高的玻璃化转换温度（tg）。主要的两个性能是灵敏度和分辨力。
感光胶的主要成分是树脂或基体材料、感光化合物以及可控制光刻胶机械性能并使其保持液体状态的溶剂。树脂在---过程中改变分子结构。感光化合物控制树脂定相的化学反应速度。溶剂使得胶能在圆片上旋转擦敷并形成薄瞙。没有感光化合物的光刻胶称为单成分胶或单成分系统，有一种感光剂的情形下，称为二成分系统。因为溶剂和其他添加物不与胶的感光反应发生直接关系，它们不计入胶的成分。
在---过程中，正性胶通过感光化学反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以---后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。---后的光刻胶溶解速度几乎是未---的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在---区间显影，负性胶则相反。负性胶由于---区间得到保留，漫射形成的轮廓使显---的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。
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