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光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。 光刻胶又称光致抗蚀剂,以智能管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚酯胶和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的kpr为代表,后者以omr系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以---醌为感光化合物,以酚醛树脂为基体材料。常用的有az- 1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、而刻蚀性和附着性等较差。
光刻胶的特点
1、在光的照射下溶解速率发生变化,nr94 8000py光刻胶,利用---区与非---区的溶解速率差来实现图形的转移;
2、溶解抑制/溶解促进共同作用;
3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同;
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的---参数。随着集成电路的发展,芯片制造特征尺寸越来越小,对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的---参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要,光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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为了避免光刻胶线条的倒塌,nr94 8000py光刻胶多少钱,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此,研发了含si的光刻胶,这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料(常被称作underlayer),其对光是不敏感的。---显---,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到underlayer上,在氧等离子体刻蚀条件下,含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer,nr94 8000py光刻胶哪里有,具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的,例如硅氧烷,含si的树脂等
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