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光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外---或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶生产厂家，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显---，---的负性光刻胶或未---的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。
光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成---分子；负胶指的是聚合物的---分子因光照而交链长链分子。 ---分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的---部分被去掉，四川光刻胶，而负胶的---部分被保留。
光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，pac），添加剂（additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，光刻胶价格，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/x射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。
以半导体行业为例，光刻胶多少钱，光刻胶主要用于半导体图形化工艺。图形化工艺是半导体制造过程中的---工艺。图形化可以简单理解为将设计的图像从掩模版转移到晶圆表面合适的位置。
一般来讲图形化主要包括光刻和刻蚀两大步骤，分别实现了从掩模版到光刻胶以及从光刻胶到晶圆表面层的两步图形转移，流程一般分为十步:1.表面准备，2.涂胶，3.软烘焙，4.对准和---，5.显影，6.硬烘焙，7.显影检查，8.刻蚀，9.去除光刻胶，10.终检查。
具体来说，在光刻前首先对于晶圆表面进行清洗，主要采用相关的湿化学品，包括---等。
晶圆清洗以后用旋涂法在表面涂覆一层光刻胶并烘干以后传送到光刻机里。在掩模版与晶圆进行---对准以后，光线透过掩模版把掩模版上的图形投影在光刻胶上实现---，这个过程中主要采用掩模版、光刻胶、光刻胶配套以及相应的气体和湿化学品。
对---以后的光刻胶进行显影以及再次烘焙并检查以后，实现了将图形从掩模版到光刻胶的次图形转移。在光刻胶的保护下，对于晶圆进行刻蚀以后剥离光刻胶然后进行检查，实现了将图形从光刻胶到晶圆的第二次图形转移。
目前主流的刻蚀办法是等离子体干法刻蚀，主要用到含氟和含体。
工艺角度普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着---加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高---系统分辨率的性能，人们正在研究在---光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而---光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。 ---系统伴随着新一代---技术（ngl）的研究与发展，为了---的满足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展。------技术对光刻胶的性能要求也越来越高。光刻胶的铺展如何使光刻胶均匀地，按理想厚度铺展在器件表面，实现工业化生产。光刻胶的材料从光刻胶的材料考虑进行---。
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