nr9 3000py光刻胶厂家-北京赛米莱德

5，显影液

在已经---的硅衬底胶面喷淋显影液，或将其浸泡在显影液中，正胶是---区、而负胶是非---区的胶膜溶入显影液，胶膜中的潜影显现出来，形成三维图像。

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（wafer clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例goldfinger mach2清洗系统）、美国ssec公司的双面檫洗技术（例m3304 dss清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。