光刻胶按其形成图形的极性可以分为:正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成---分子;负胶指的是聚合物的---分子因光照而交链长链分子。 ---分子聚合物可以被显影液溶解掉,因此正胶的---部分被去掉,而负胶的---部分被保留。
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1.对比度(contrast)
对比度指光刻胶从---区到非---区过渡的陡度。 对比度越好,越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。
2.粘滞性/黏度 (viscosity)
衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。
3.抗蚀性(anti-etching)
光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
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光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占ic制造50%左右,成本约占ic生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的对光刻工艺有着重要影响。
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