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光刻胶又称光致抗蚀剂,是光刻工艺的关键化学品,主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 led、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中,树脂约占 50%,单体约占35%,光引发剂及添加助剂约占15%。
光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,光刻胶价格,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶。反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
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光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻胶,光刻版图形被在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。
划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在---之后,光刻胶,被浸入显影溶液中。在显影过程中,正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下,未---的区域保持不变。负性光刻胶正好相反,在显影剂中未---的区域将溶解,而---的区域被保留。正性胶的分辨力往往是的,因此在ic制造中的应用更为普及,但mems系统中,由于加工要求相对较低,光刻胶需求量大,负性胶仍有应用市场。
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