光刻胶的技术复杂，正向光刻胶公司，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，导电光刻胶公司，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶。反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
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为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，光刻胶公司，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此，研发了含si的光刻胶，这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作underlayer），光阻光刻胶公司，其对光是不敏感的。---显---，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的，例如硅氧烷，含si的树脂等
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硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；（2）在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。
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光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2] 。
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