发布单位: 北京赛米莱德贸易有限公司 发布时间:2022-8-20
感光树脂经光照后,在---区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,---是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特点。光分解型,采用含有---醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。光交联型,采用---月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品kpr胶即属此类。感光树脂在用近紫外光辐照成像时,光的波长会---分辨率(见感光材料)的提高。为进一步提高分辨率以满足---规模集成电路工艺的要求,必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、x 射线和深紫外(<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,x射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶,所刻蚀的线条可细至1□m以下。
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由于光刻胶的技术壁垒较高,国内光刻胶市场基本被国外企业垄断。---是高分辨率的krf和arf光刻胶,基本被日本和美国企业占据。
国内光刻胶生产商主要生产pcb光刻胶,面板光刻胶和半导体光刻胶生产规模相对较小。国内生产的光刻胶中,pcb光刻胶占比94%,lcd光刻胶和半导体光刻胶占比分别仅有3%和2%。
国内光刻胶需求量远大于本土产量,且差额逐年扩大。由于国内光刻胶起步晚,目前技术水平相对落后,生产产能主要集中在pcb光刻胶、tn/stn-lcd光刻胶等中低端产品,tft-lcd、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少,仍需大量进口,从而导致国内光刻胶需求量远大于本土产量。
光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被拷贝在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是较好的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。
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划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在---之后,被浸入显影溶液中。在显影过程中,正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下,未---的区域保持不变。负性光刻胶正好相反,在显影剂中未---的区域将溶解,而---的区域被保留。正性胶的分辨力往往是较好的,因此在ic制造中的应用更为普及,但mems系统中,由于加工要求相对较低,光刻胶需求量大,负性胶仍有应用市场。
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