光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（wafer clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例goldfinger mach2清洗系统）、美国ssec公司的双面檫洗技术（例m3304 dss清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。三、光刻胶涂覆（photoresistcoating）光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。

nr9-3000pynr21 20000p光刻胶公司

五、---

在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。在光刻胶的生产上，我国主要生产pcb光刻胶，lcd光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小，2015年据统计我国光刻胶产量为9。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。

在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂dq会发生光化学反应，变为---，并进一步水解为茚并羧酸（indene-carboxylic-acid, ca），羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。彩色薄膜少了光刻胶，产生不了绚丽的画面显示器是人与机器沟通的重要界面。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。

---方法：

a、接触式---（contact printing）掩膜板直接与光刻胶层接触。

b、接近式---（proximity printing）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。

c、投影式---（projection printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜---光实现---。

d、步进式---(stepper)

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正胶pr1-2000a1技术资料

正胶pr1-2000a1是为---波长为365 或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。pr1-2000a1可以满足对附着能力较高的要求，在使用pr1-2000a1时一般不需要增粘剂，如hmds。

相对于其他的光刻胶，pr1-2000a1有如下的一些额外的优势：

peb，不需要后烘的步骤；

较高的分别率；

快速显影；

较强的线宽控制；

蚀刻后去胶效果好；

在室温下有效期长达2年。