发布单位: 北京赛米莱德贸易有限公司 发布时间:2022-8-6
光刻工艺主要性一
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征,还需要相应光刻机与之配对调试。光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。一般情况下,一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程,由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等,不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样,即使类似的光刻过程,不同的厂商也会有不同的要求。
针对不同应用需求,光刻胶的品种非常多,这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此,通过调整光刻胶的配方,满足差异化的应用需求,是光刻胶制造商---的技术。
此外,由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小,而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。---光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与---波长、数值孔径和工艺系数相关。
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