发布单位: 北京赛米莱德贸易有限公司 发布时间:2022-7-31
光刻胶工艺
普通的光刻胶在成像过程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻胶图形的对比度,从而降低了图形的分辨率。随着---加工特征尺寸的缩小,入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高---系统分辨率的性能,futurrex 的光刻胶正在研究在---光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。而在一些半导体器件设计时,考虑到器件性能要求,需要对特定区域进行离子注入,使其满足各种器件不同功能的要求。该技术的引入,可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射,从而---光刻胶的分辨率性能,但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。
芯片光刻的流程详解(一)
在集成电路的制造过程中,有一个重要的环节——光刻,正因为有了它,我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前,1822年法---nicephore niepce在各种材料光照实验以后,开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕(图案),他将油纸放在一块玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒,透光部分的沥青明显变硬,而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。重点支持的---领域(2015)中提到“高分辨率光刻胶及配套化学品作为精细化学品重要组成部分,是重点发展的新材料技术”。通过用强酸刻蚀玻璃板,niepce在1827年制作了一个d’amboise---的雕板相的产品。
niepce的发明100多年后,即第二次大战期间才应用于制作印刷电路板,即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在si上制作大量的微小晶体管,当时分辨率5um,如今除可见光光刻之外,更出现了x-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。而细化到半导体用光刻胶市场,国内企业份额不足30%,与国际水平存在较大差距。