彩色薄膜少了光刻胶，产生不了绚丽的画面

显示器是人与机器沟通的重要界面。光刻胶是整个光刻工艺的重要部分，也是国际上技术门槛较高的微电子化学品之一，主要应用在集成电路和平板显示两大产业。光刻技术决定了集成电路的集成度，技术节点的推进和实现。

章宇轩介绍,我们在日常工作生活中，之所以能从显示屏幕上看到色彩斑斓的画面，就是离不开屏幕中厚度只有2μm、却占面板成本16％的一层彩色薄膜。然而，彩色薄膜颜色的产生，必须由光刻胶来完成。

lcd是非主动发光器件，其色彩显示必须由本身的背光系统或外部的环境光提供光源，通过驱动器与控制器形成灰阶显示，再利用彩色滤光片产生红、绿、蓝三基色，依据混色原理形成彩色显示画面。

其中，根据颜色的不同，可以将光刻胶分为黑色、红色、绿色、蓝色四种。彩色滤光片的制作就是在玻璃基板上应用黑色光刻胶制作黑色矩阵，再应用红、绿、蓝光刻胶制作三原色像素。

光刻胶去除

半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、---和显影等步骤。

在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。

而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。据wsts和sia统计数据，2016年半导体市场规模为1659。

这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；10．我们是oled，我们有一种制程上需要一层spacer，那种光阻适合。同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（wafer clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例goldfinger mach2清洗系统）、美国ssec公司的双面檫洗技术（例m3304 dss清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。重点支持的---领域（2015）中提到“高分辨率光刻胶及配套化学品作为精细化学品重要组成部分，是重点发展的新材料技术”。

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4,---

前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行---，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，

光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；

对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。

---时间，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，

另外，为降低驻波效应影响，可在---后需进行烘焙，称为光后烘焙（peb）