光刻胶主要用于图形化工艺

以半导体行业为例,光刻胶主要用于半导体图形化工艺。图形化工艺是半导体制造过程中的---工艺。图形化可以简单理解为将设计的图像从掩模版转移到晶圆表面合适的位置。

一般来讲图形化主要包括光刻和刻蚀两大步骤,分别实现了从掩模版到光刻胶以及从光刻胶到晶圆表面层的两步图形转移,流程一般分为十步:1.表面准备,2.涂胶,3.软烘焙,4.对准和---,5.显影,6.硬烘焙,7.显影检查,8.刻蚀,9.去除光刻胶,10.终检查。

具体来说,在光刻前首先对于晶圆表面进行清洗,主要采用相关的湿化学品,包括---等。

晶圆清洗以后用旋涂法在表面涂覆一层光刻胶并烘干以后传送到光刻机里。在掩模版与晶圆进行---对准以后,光线透过掩模版把掩模版上的图形投影在光刻胶上实现---,这个过程中主要采用掩模版、光刻胶、光刻胶配套以及相应的气体和湿化学品。

对---以后的光刻胶进行显影以及再次烘焙并检查以后,实现了将图形从掩模版到光刻胶的次图形转移。在光刻胶的保护下,对于晶圆进行刻蚀以后剥离光刻胶然后进行检查,实现了将图形从光刻胶到晶圆的第二次图形转移。

目前主流的刻蚀办法是等离子体干法刻蚀,主要用到含氟和含体。

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光刻胶分类

正性光刻胶和负性光刻胶

光刻胶可依据不同的产品标准进行分类。按照化学反应和显影的原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未---部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相反,称为负性光刻胶;如果显影时---部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相同,称为正性光刻胶。

在实际运用过程中,由于负性光刻胶在显影时容易发生变形和膨胀的情况,一般情况下分辨率只能达到 2 微米,因此正性光刻胶的应用更为广泛。

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选择光刻胶需要注意什么

光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被拷贝在圆片的表面。而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是较好的，但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑，需要对光刻胶进行合理的选择。

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光刻胶介绍

以下内容由赛米莱德为您提供，今天我们来分享光刻胶的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！

光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一，是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，其溶解度发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶性部分，然后得到所需图像。 光刻胶作为技术门槛---的电子化学品一直被国际企业垄断。 随着大力研发和投入， 国内企业已逐步从低端 pcb 光刻胶发展至中端半导体光刻胶的量产。