nr9-3000pynr94 8000py光刻胶公司

光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶---的接触。烘干：去除衬底表面的水汽，使其---干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，hmds，光刻胶疏水，sio2 空气中，si-oh, 表面有，亲水性，使用hmds （h2c）6si2nh 涂覆，熏蒸  与 si –oh结合形成si-o-si(ch2)2，与光刻胶相亲。以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过---(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。

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6，坚膜

坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，康腐蚀能力提高。坚膜温度通常情况高于前烘和---后烘烤的温度 100-140度 10-30min,7，显影检验,光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准---、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡，针kong、小岛。光刻胶去除半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。

8刻蚀

就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉，达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。湿法刻蚀，sio2,al, poly-si 等薄膜，干法腐蚀。

光刻胶

光增感剂

是引发助剂，能吸收光能并转移给光引发剂，或本身不吸收光能但协同参与光化学反应，起到提高引发效率的作用。

光致产酸剂

吸收光能生成酸性物质并使---区域发生酸解反应，用于化学增幅型光刻胶。

助剂

根据不同的用途添加的颜料、固化剂、分散剂等调节性能的添加剂。

主要技术参数

分辨率（resolution）

是指光刻胶可再现图形的小尺寸。一般用关键尺寸来（cd，criticaldimension）衡量分辨率。