发布单位： 北京赛米莱德贸易有限公司 发布时间：2022-5-28
为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此，研发了含si的光刻胶，这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作underlayer），其对光是不敏感的。---显---，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的，例如硅氧烷，，含si的树脂等
光学光刻胶通常包含以下三种成分：(1)聚合物材料(也称为树脂)。聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应，其主要作用是---光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，同时也决定着光刻胶薄膜的其他一些特性(如光刻胶的膜厚要求、弹性要求和热稳定性要求等)。(2)感光材料。感光材料一般为复合性物质(简称pac或感光剂)。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未---区域起抑制溶解的作用，可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。以正性胶为例，使用g射线和i射线光刻中的正性胶是由---醌(简称为dq)感光剂和酚树脂构成。(3)溶剂(如----，pgme)。溶剂的作用是使光刻胶在涂覆到硅片表面之前保持为液态
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注意事项：
若腐蚀液为碱性，则不宜用正性光刻胶；
看光刻机型式,若是投影方式,用常规负胶时氮气环境可能会有些问题
负性胶价格成本低，正性胶较贵；
工艺方面：负性胶能---地获得单根线，而正性胶可获得孤立的洞和槽；
健康方面：负性胶为有机溶液处理，不利于环境；正性胶属于水溶液，对健康、环境无害。
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分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的---参数。随着集成电路的发展，芯片制造特征尺寸越来越小，对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的---参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要，光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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