发布单位： 北京赛米莱德贸易有限公司 发布时间：2022-5-14
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过---后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显---被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶却恰恰相反，经过---后，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显---，留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早，其工艺成本低、产量高，但由于它吸收显影液后会膨胀，导致其分辨率（即光刻工艺中所能形成图形）不如正胶，因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术，主要使用正胶作为光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的kpr为代表，后者以omr系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以---醒为感光化台物，以酚醛树脂为基本材料。的有az-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
3、负性电子束光刻胶
为含有环---、乙烯基或环---物的聚合物。 的是cop胶，典型特性:灵敏度0.3~0.4μc/cm^2 (加速电压10kv时)、分辨率1.0um、 对比度0.95。---分辨率
的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。
4、正性电子束光刻胶
主要为---、烯砜和---类这三种聚合物。的是pmma胶，典型特性:灵敏度40~ 80μc/cm^2 (加速电压20kv时)、分辨率0.1μm、 对比度2~3。
pmma胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低，此外在高温下易流动，耐干法刻蚀性差。
光刻胶一般由4种成分组成:树脂型聚合物、光活性物质、溶剂和添加剂。树脂是光刻胶中占比较大的组分，构成光刻胶的基本骨架，主要决定---后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、耐腐蚀性、热稳定性等。光活性物质是光刻胶的关键组分，对光刻胶的感光度、分辨率等其决定性作用。
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的---参数。随着集成电路的发展，芯片制造特征尺寸越来越小，对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的---参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要，光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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1、分辨率:区别硅片表---邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量 分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
2、对比度:指光刻胶从---区到非---区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
3、敏感度:光刻胶上产生一 个---的图形所需一 定波长的小能量值(或小---量)。单位:焦/平方厘米或mj/cm2.光刻胶
的敏感性对于波长更短的深紫外光(duv)、极深紫外光(euv)等尤为重要。
4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的
粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。
5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀i序中保护衬底表面。
7、表面张力:液体---表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有---的流动性
8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。 同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
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