光刻胶的参数

赛米莱德生产、销售光刻胶，我们为您分析该产品的以下信息。

分辨率

分辨率英文名：resolution。区别硅片表---邻图形特征的能力,一般用关键尺寸（cd，critical dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

对比度

对比度（contrast）指光刻胶从---区到非---区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。

敏感度

敏感度（sensitivity）光刻胶上产生一个---的图形所需一定波长光的能量值（或---量）。单位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（duv）、极深紫外光（euv）等尤为重要。

粘滞性黏度

粘滞性/黏度（viscosity）是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重（sg，specific gravity）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位：百分斯托克斯（cs）=cps/sg。

粘附性

粘附性（adherence）表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。

抗蚀性

抗蚀性（anti-etching）光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

表面张力

液体---表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力（surface tension），使光刻胶具有---的流动性和覆盖。

光刻胶

工艺角度普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着---加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高---系统分辨率的性能，人们正在研究在---光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而---光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。 ---系统伴随着新一代---技术（ngl）的研究与发展，为了---的满足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展。------技术对光刻胶的性能要求也越来越高。光刻胶的铺展如何使光刻胶均匀地，按理想厚度铺展在器件表面，实现工业化生产。光刻胶的材料从光刻胶的材料考虑进行---。

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光刻胶分类

正性光刻胶和负性光刻胶

光刻胶可依据不同的产品标准进行分类。按照化学反应和显影的原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未---部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相反,称为负性光刻胶;如果显影时---部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相同,称为正性光刻胶。

在实际运用过程中,由于负性光刻胶在显影时容易发生变形和膨胀的情况,一般情况下分辨率只能达到 2 微米,因此正性光刻胶的应用更为广泛。

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光刻胶的未来市场

光刻胶市场需求逐年增加，2018年全球半导体光刻胶销售额12.97亿美元，而国内光刻胶需求量方面，2011年光刻胶需求量为3.51万吨，到2017年需求量为7.99万吨，年复合增长率达14.69%。

国内光刻胶需求量远大于本土产量，且差额逐年扩大。由于---光刻胶市场起步晚，目前技术水平相对落后，生产产能主要集中在pcb光刻胶、tn/stn-lcd光刻胶等中低端产品，tft-lcd、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少。